专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]高频封装-CN202080068509.3有效
  • 田野边博正 - 日本电信电话株式会社
  • 2020-07-22 - 2023-06-09 - H01P5/08
  • 伪同轴线路(104)在第一连接部(105)处连接至第一共面线(102),并且在第二连接部(106)处连接至第二共面线(103)。第一共面线(102)和第二共面线(103)是例如差动共面线。此外,伪同轴线路(104)的第二连接部(106)具有露出的背面凹部(107)。背面凹部(107)在平面图中呈大致半圆形形状、大致半椭圆形形状或矩形形状。
  • 高频封装
  • [发明专利]一种大范围共面补偿连接器-CN200910191940.2无效
  • 肖顺群 - 贵州航天电器股份有限公司
  • 2009-12-12 - 2010-05-12 - H01R12/22
  • 一种大范围共面补偿连接器,该连接器包括设有旋转中轴的接触弹片和安装外壳,接触弹片包含2个在旋转中轴两侧布置的接触点,并通过其旋转中与安装外壳活动连接,确保接触点可绕轴心旋转。本发明连接器通过旋转变形和弹性变形相结合的方式,可实现对共面线板大范围的共面补偿,弥补由共面线板零件公差或安装公差造成的共面度误差,保证共面线板连接的有效性和可靠性,同时具有结构简单、安装快速、维修更换方便的特点
  • 一种范围补偿连接器
  • [发明专利]光子晶体器件-CN200910138620.0有效
  • 寒川潮;藤岛丈泰;菅野浩;崎山一幸 - 松下电器产业株式会社
  • 2005-04-11 - 2009-10-21 - H01P1/203
  • 本发明提供一种光子晶体器件,其特征在于,具有:第一电介质基板,其形成有在第一表面内介电常数周期地变化的导体线路共面线或槽线路;第二电介质基板,其具有在第二表面内介电常数周期地变化的带状结构;和可动部分,其通过改变所述导体线路共面线或槽线路和所述带状结构间的相对的配置关系,使由所述导体线路共面线或槽线路和所述带状结构形成的光子能带结构发生变化,所述第一电介质基板和所述第二电介质基板层叠。
  • 光子晶体器件
  • [发明专利]高频封装-CN202080068401.4在审
  • 田野边博正 - 日本电信电话株式会社
  • 2020-07-20 - 2022-05-06 - H01L23/498
  • 根据本发明,第一信号引脚(106)的一端连接至差动共面线(102)的第一信号线(103),并且另一端被弯曲以远离安装面。第二信号引脚(107)的一端连接至差动共面线(102)的第二信号线(104),并且另一端被弯曲以远离安装面。接地引脚(108)的一端连接至差动共面线(102)的接地线(105),并且另一端被弯曲以远离安装面。
  • 高频封装
  • [发明专利]分布式放大器-CN200510059284.2无效
  • 小杉真;西野章;小川康德 - 冲电气工业株式会社
  • 2005-03-25 - 2005-12-28 - H03F3/60
  • 输入侧传输线路10由在电介质基板SUB的表面上形成信号线S2和接地面G2构成的共面线构成,输出侧传输线路20由在电介质基板SUB的表面上形成信号线S1而在该电介质基板SUB的下面形成接地面G1的微带线路构成由于输入侧传输线路10中没有流过用以驱动晶体管31-36的大电流,从而可以使信号线S2变细,即使在共面线中也不增加使用面积。由于共面线的接地面G2形成在电介质基板SUB的上面,从而能够以简单的结构使晶体管31-36的源电极等接地。
  • 分布式放大器
  • [发明专利]90度混合电路-CN201810026500.0有效
  • 小川智之;松原亮滋 - 日立金属株式会社
  • 2018-01-11 - 2022-05-17 - H01P5/18
  • 与第二端口(P2)导通的第一导体(3);及由形成于电介质基板的导体图案构成且将第三端口(P3)与第四端口(P4)导通的第二导体(4),形成有第一导体的一部分与第二导体的一部分在电介质基板的表背面对置而成的耦合线路(5),作为构成耦合线路的第一导体的一部分的第一耦合线路部(51)由从两侧夹持该第一耦合线路部地形成第一接地图案(61)的共面线构成,作为构成耦合线路的第二导体的一部分的第二耦合线路部(52)由从两侧夹持该第二耦合线路部地形成第二接地图案(62)的共面线构成。
  • 90混合电路
  • [发明专利]屏蔽的共面线-CN201310177742.7有效
  • S·乔布洛特;P·巴尔 - 意法半导体有限公司
  • 2013-05-10 - 2018-04-17 - H01L23/528
  • 本发明公开了一种屏蔽的共面线。在一个实施例中公开了一种用于在半导体衬底中制造包括贯穿通路和共面线的集成电路的方法,该方法包括以下步骤形成有源部件和一组前金属化级;从衬底的后表面同时蚀刻贯穿通孔和穿过衬底的高度的至少50%的沟槽;用导电材料涂覆孔的和沟槽的壁和底部;以及用绝缘填充材料填充孔和沟槽;以及在沟槽前面并且与沟槽平行形成在衬底的后表面上延伸的共面线,从而共面线的侧部导体电连接到涂覆沟槽的壁的导电材料。
  • 屏蔽共面线

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